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IRFR430APBF

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Produktcode: 163510
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFR430APBF IRFR430APBF Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRFR430APBF IRFR430APBF Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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160+0.91 EUR
168+0.83 EUR
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IRFR430APBF IRFR430APBF Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IRFR430APBF IRFR430APBF Vishay sihfr430.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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75+1.94 EUR
79+1.82 EUR
150+1.61 EUR
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IRFR430APBF IRFR430APBF VISHAY IRFR430A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1168 Stücke:
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34+2.14 EUR
65+1.1 EUR
75+1.02 EUR
150+0.99 EUR
300+0.96 EUR
525+0.92 EUR
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IRFR430APBF IRFR430APBF Vishay Semiconductors tf-irfr430apbf.pdf MOSFETs TO252 500V 5A N-CH MOSFET
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10+1.8 EUR
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IRFR430APBF IRFR430APBF Vishay Siliconix tf-irfr430apbf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
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75+1.98 EUR
150+1.78 EUR
525+1.51 EUR
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IRFR430APBF IRFR430APBF VISHAY VISH-S-A0013857020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFR430APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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IRFR430APBF Vishay/IR sihfr430_vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 5 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 1,7 Ом @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
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IRFR430APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2373 Stücke:
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Anzahl Preis
267+0.54 EUR
279+0.51 EUR
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IRFR430APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
159+0.91 EUR
168+0.85 EUR
525+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 159
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IRFR430APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
160+0.91 EUR
168+0.83 EUR
525+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 160
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IRFR430APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 2373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
119+1.22 EUR
267+0.52 EUR
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283+0.46 EUR
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IRFR430APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
75+1.94 EUR
79+1.82 EUR
150+1.61 EUR
300+1.39 EUR
525+1.31 EUR
1050+1.19 EUR
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IRFR430APBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.14 EUR
65+1.1 EUR
75+1.02 EUR
150+0.99 EUR
300+0.96 EUR
525+0.92 EUR
1050+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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IRFR430APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 500V 5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 2403 Stücke:
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Anzahl Preis
1+4.24 EUR
10+1.8 EUR
100+1.49 EUR
500+1.33 EUR
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IRFR430APBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 958 Stücke:
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Anzahl Preis
5+4.28 EUR
75+1.98 EUR
150+1.78 EUR
525+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRFR430APBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR430APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 5 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 1,7 Ом @ 3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH