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IRFR4620TRLPBF

IRFR4620TRLPBF Infineon Technologies

infineonirfr4620datasheetv0101en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR4620TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7 Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
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IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfr4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfr4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C49CD67085F1A303005056AB0C4F&compId=irfr4620pbf.pdf?ci_sign=e4c12440734d4ce0004c05233e417a3999fb1ada Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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26+2.85 EUR
37+1.96 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
1000+0.97 EUR
1500+0.94 EUR
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IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C49CD67085F1A303005056AB0C4F&compId=irfr4620pbf.pdf?ci_sign=e4c12440734d4ce0004c05233e417a3999fb1ada Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2958 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.85 EUR
37+1.96 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
1000+0.97 EUR
1500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfr4620datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7 Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
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IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRFR4620-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
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IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.078 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1886 Stücke:
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auf Bestellung 36 Stücke:
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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