IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.81 EUR |
| 6000+ | 0.76 EUR |
| 9000+ | 0.73 EUR |
| 15000+ | 0.71 EUR |
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Technische Details IRFR5305TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRFR5305TRLPBF nach Preis ab 0.48 EUR bis 2.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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IRFR5305TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W |
auf Bestellung 5225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC |
auf Bestellung 16421 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR5305TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 20142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR5305TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1509 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5305TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5305TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5305TRLPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 65 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: ш Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 15 Stücke: |
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IRFR5305TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |