Produkte > INFINEON > IRFR5410TRLPBF

IRFR5410TRLPBF INFINEON


708122.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+1.48 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFR5410TRLPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IRFR5410TRLPBF nach Preis ab 1.19 EUR bis 4.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR5410TRLPBF IRFR5410TRLPBF INFINEON 708122.pdf Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.52 EUR
94+2.49 EUR
120+1.78 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRLPBF IRFR5410TRLPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 MOSFETs MOSFT PCh -100V 13A 205mOhm 38.7nC
auf Bestellung 8687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.25 EUR
10+2.7 EUR
100+1.82 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.45 EUR
3000+1.24 EUR
6000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRLPBF IRFR5410TRLPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRLPBF IRFR5410TRLPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRLPBF 708122.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+3.52 EUR
94+2.49 EUR
120+1.78 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRLPBF irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V 13A 205mOhm 38.7nC
auf Bestellung 8687 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.25 EUR
10+2.7 EUR
100+1.82 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.45 EUR
3000+1.24 EUR
6000+1.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRLPBF irfr5410pbf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRLPBF irfr5410pbf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH