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IRFR5410TRPBF

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Produktcode: 185744
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Technische Details IRFR5410TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • C

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
280+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 280 Stücke
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IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 description Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.73 EUR
4000+0.67 EUR
6000+0.64 EUR
10000+0.61 EUR
14000+0.6 EUR
20000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 46000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.95 EUR
4000+0.83 EUR
6000+0.8 EUR
10000+0.68 EUR
14000+0.64 EUR
20000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.95 EUR
4000+0.83 EUR
6000+0.8 EUR
10000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.95 EUR
4000+0.84 EUR
6000+0.82 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 46000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.96 EUR
4000+0.86 EUR
6000+0.83 EUR
10000+0.73 EUR
14000+0.7 EUR
20000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.8 EUR
103+1.69 EUR
250+1.59 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
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IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5410pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+2.23 EUR
63+1.36 EUR
100+0.96 EUR
250+0.84 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 27895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
143+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 description Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 21793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.68 EUR
13+1.69 EUR
100+1.12 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107 description MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
auf Bestellung 20217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.07 EUR
100+1.49 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
2000+0.98 EUR
4000+0.9 EUR
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IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 27895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
96+2.44 EUR
143+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF Infineon Technologies irfr5410pbf.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR5410TRPBF International Rectifier/Infineon irfr5410pbf.pdf description P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 13 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 760, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 66, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 588 Stücke:
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IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
280+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 280 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.73 EUR
4000+0.67 EUR
6000+0.64 EUR
10000+0.61 EUR
14000+0.6 EUR
20000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 46000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.95 EUR
4000+0.83 EUR
6000+0.8 EUR
10000+0.68 EUR
14000+0.64 EUR
20000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.95 EUR
4000+0.83 EUR
6000+0.8 EUR
10000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.95 EUR
4000+0.84 EUR
6000+0.82 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 46000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.96 EUR
4000+0.86 EUR
6000+0.83 EUR
10000+0.73 EUR
14000+0.7 EUR
20000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
98+1.8 EUR
103+1.69 EUR
250+1.59 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFR5410TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+2.23 EUR
63+1.36 EUR
100+0.96 EUR
250+0.84 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRPBF description INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR5410TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 27895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.44 EUR
143+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 21793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.68 EUR
13+1.69 EUR
100+1.12 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
auf Bestellung 20217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.61 EUR
10+2.07 EUR
100+1.49 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.09 EUR
2000+0.98 EUR
4000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR5410TRPBF description INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR5410TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 27895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+3.93 EUR
96+2.44 EUR
143+1.51 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.08 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
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IRFR5410TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7637 Stücke:
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
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Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 588 Stücke:
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