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IRFR5410TRPBF

Name: IRFR5410TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 28242714-5
Price: 149.04 EUR
Availability: InStock

irfr5410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356356f622107

Produktcode: 185744

Hersteller:
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Technische Details IRFR5410TRPBF

MOSFET
Transistor Polarity:P Channel
C

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Beschreibung

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IRFR5410TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irfr5410-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRFR5410TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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4000+	0.56 EUR
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IRFR5410TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

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IRFR5410TRPBF

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Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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97+	1.54 EUR
101+	1.42 EUR
250+	1.31 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.13 EUR

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IRFR5410TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Anzahl	Preis
39+	1.87 EUR
56+	1.29 EUR
138+	0.52 EUR
146+	0.49 EUR
4000+	0.47 EUR

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IRFR5410TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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39+	1.87 EUR
56+	1.29 EUR
138+	0.52 EUR
146+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 39

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IRFR5410TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRFR5410_DataSheet_v01_01_EN-3363345.pdf

MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC

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2+	2.32 EUR
10+	1.62 EUR
100+	1.23 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.91 EUR
2000+	0.84 EUR

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IRFR5410TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

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100+	1.29 EUR
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IRFR5410TRPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012838457-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRFR5410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRFR5410TRPBF

Hersteller : INFINEON

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IRFR5410TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRFR5410TRPBF

Hersteller : Infineon

Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-100V; Id=-13A; Pdmax=66W; Rds=0,205 Ohm

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1+	7.04 EUR

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IRFR5410TRPBF

Hersteller : International Rectifier/Infineon

P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 13 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 760; Qg, нКл = 58 @ 10 В; Rds = 205 мОм @ 7,8 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 66; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK

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IRFR5410TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Gehäuse: 3,6...3,8...1,2мм
Beschreibung: Прецизійний висотомір, барометр, термометр, діапазон тиску: 300 мбар ~ 1200мбар
Ausgang/Schnittstelle: Цифровий
Versorgung: 1,8...3,6 V
Temperatur: -40...+85 °C
Тип датчика: Датчик тиску
Тип монтажа: SMD

verfügbar: 2 Stück

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LED 0603 grün 567nm, 120° (GNL-0603GC G-nor)
Produktcode: 45621

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LED 0603 grün 567nm, 120° (GNL-0603GC G-nor)

Hersteller: G-Nor
LEDs > LEDs sichtbare Spektrum SMD
Farbe (Wellenlänge): grün (567nm)
Typ, Größe: 0603 (1,6x0,8mm)
Linse: farblos transparent
Spannungsfall: 2,0 V
Lichtstärke: 7...12 mCd
Lichtwinkel: 120°
ZCODE: 567 nm

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10+	0.06 EUR
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IRLML0040TRPBF
Produktcode: 38411

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irlml0040pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664894825e4

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 40
Idd,A: 03.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.056
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.266
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

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