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IRFR5505PBF

IRFR5505PBF

irfr5505pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 49825
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-252
Uds,V: 55
Id,A: 18
Rds(on),Om: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 650/32
/: SMD
auf Bestellung 149 St.:
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Technische Details IRFR5505PBF IR

  • MOSFET, P, -55V, -18A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:P
  • Typ Voltage Vds:-55V
  • Cont Current Id:18A
  • On State Resistance:0.11ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
  • Typ Voltage Vgs th:-4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.2`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • Power Dissipation:57W
  • Power Dissipation Pd:57W
  • Pulse Current Idm:64A
  • SMD Marking:IRFR5505
  • Voltage Vds:55V
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFR5505PBF IRFR5505PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfr5505datasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1 Stücke:
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IRFR5505PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 18 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25; Qg, нКл = 32; Rds = 110 мОм @ 9,6 A; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Опис P-канальний ПТ; Р, Вт = 57; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
auf Bestellung 23 Stücke:
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IRFR5505PBF irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f IRFR5505PBF Транзисторы
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IRFR5505PBF IRFR5505PBF Hersteller : Infineon Technologies irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
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IRFR5505PBF IRFR5505PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR5505_DataSheet_v01_01_EN-1228460.pdf MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
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description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD
verfügbar: 1227 St.
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1212 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.31 EUR
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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 143541 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10uF 16V X5R 10% 0805 (CL21A106KOQNNNE-Samsung)
Produktcode: 164106
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cl21a225kafnnne-datasheet.pdf
10uF 16V X5R 10% 0805 (CL21A106KOQNNNE-Samsung)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 10 µF
Nennspannung: 16 V
Dielektrikum: X5R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 18153 St.:
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2N7002-7-F
Produktcode: 186256
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ds11303.pdf
2N7002-7-F
Hersteller: CJ
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
JHGF: SMD
auf Bestellung 2998 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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470 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1508
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RC_series.pdf
470 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 470 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 1100 St.
erwartet: 30000 St.
30000 St. - erwartet
Anzahl Preis
10+0.005 EUR
100+0.0034 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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