IRFR5505TRPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.75 EUR |
| 4000+ | 0.68 EUR |
| 6000+ | 0.65 EUR |
| 10000+ | 0.61 EUR |
| 14000+ | 0.57 EUR |
| 20000+ | 0.5 EUR |
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Technische Details IRFR5505TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 57W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.
Weitere Produktangebote IRFR5505TRPBF nach Preis ab 0.52 EUR bis 3.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
  Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
auf Bestellung 58000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 9361 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5505TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -18A Power dissipation: 57W Case: DPAK On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5505TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 57W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
auf Bestellung 49807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
auf Bestellung 59839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC |
auf Bestellung 15900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRFR5505TRPBF | TYS |
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори |
auf Bestellung 166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | Infineon |
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори |
auf Bestellung 2074 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR5505TRPBF | International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9.6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 500 Од. Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
verfügbar 470 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFR5505TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.75 EUR |
| 4000+ | 0.7 EUR |
| 6000+ | 0.68 EUR |
| 10000+ | 0.65 EUR |
| 14000+ | 0.62 EUR |
| 20000+ | 0.56 EUR |
| IRFR5505TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
auf Bestellung 58000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 0.87 EUR |
| 4000+ | 0.8 EUR |
| 6000+ | 0.76 EUR |
| 10000+ | 0.73 EUR |
| 14000+ | 0.71 EUR |
| 20000+ | 0.69 EUR |
| IRFR5505TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 153+ | 1.15 EUR |
| IRFR5505TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 164+ | 1.36 EUR |
| IRFR5505TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 1.81 EUR |
| 60+ | 1.44 EUR |
| 69+ | 1.24 EUR |
| 86+ | 1 EUR |
| 101+ | 0.84 EUR |
| 117+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| IRFR5505TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1697 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 78+ | 2.26 EUR |
| 135+ | 1.29 EUR |
| 165+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| IRFR5505TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 49807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 89+ | 2.82 EUR |
| 142+ | 1.64 EUR |
| 177+ | 1.21 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
| IRFR5505TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
auf Bestellung 59839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.09 EUR |
| 11+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.31 EUR |
| 500+ | 1.02 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| IRFR5505TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
auf Bestellung 15900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.2 EUR |
| 10+ | 2 EUR |
| 100+ | 1.33 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| 2000+ | 0.86 EUR |
| 4000+ | 0.82 EUR |
| IRFR5505TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFR5505TRPBF |
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Hersteller: TYS
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.65 EUR |
| IRFR5505TRPBF |
|
Hersteller: Infineon
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252 Транзистори
auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 0.88 EUR |
| IRFR5505TRPBF |
|
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9.6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 500 Од.
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 32, Rds = 110 мОм @ 9.6 A, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Опис P-канальний ПТ, Р, Вт = 57, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 500 Од.
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 470 Stücke: