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IRFR5505TRPBF

IRFR5505TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr5505-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR5505TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr5505-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr5505-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
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IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E713E691CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr5505.pdf?ci_sign=0982e56101b1ec4bf1fddcac02efbe5c3bbd2ff6 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
67+1.08 EUR
175+0.41 EUR
185+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E713E691CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr5505.pdf?ci_sign=0982e56101b1ec4bf1fddcac02efbe5c3bbd2ff6 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f Description: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 10
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IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR5505_DataSheet_v01_01_EN-3363299.pdf MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
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10+1.38 EUR
25+1.32 EUR
100+1 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 71883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR5505TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr5505-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR5505TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252
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IRFR5505TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 18 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25; Qg, нКл = 32; Rds = 110 мОм @ 9.6 A; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Опис P-канальний ПТ; Р, Вт = 57; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
auf Bestellung 470 Stücke:
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IRFR5505TRPBF Hersteller : Taiwan TY Semiconductor irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252
auf Bestellung 1816 Stücke:
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IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr5505-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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