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IRFR6215TRPBF

IRFR6215TRPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR6215TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Infineon Technologies irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114 Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
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IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF INFINEON INFN-S-A0002298973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
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100+2.95 EUR
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IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Infineon Technologies infineonirfr6215dsv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Infineon Technologies irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114 Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
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IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR6215_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
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IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF INFINEON INFN-S-A0002298973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
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53+4.75 EUR
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5000+1.15 EUR
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IRFR6215TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
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2000+0.92 EUR
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IRFR6215TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
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Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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auf Bestellung 74000 Stücke:
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IRFR6215TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 36820 Stücke:
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2000+1.01 EUR
6000+0.89 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
83+2.15 EUR
109+1.62 EUR
122+1.42 EUR
250+1.33 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
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IRFR6215TRPBF INFN-S-A0002298973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR6215TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
auf Bestellung 6891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.95 EUR
118+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.44 EUR
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 545 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
54+3.32 EUR
83+2.08 EUR
109+1.52 EUR
122+1.31 EUR
250+1.21 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IRFR6215TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
auf Bestellung 36961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+2.26 EUR
50+1.7 EUR
100+1.51 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFR6215TRPBF infineonirfr6215dsv0102en.pdf
IRFR6215TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.62 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 150V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR6215TRPBF Infineon_IRFR6215_DS_v01_02_EN.pdf
IRFR6215TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
auf Bestellung 427 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.78 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1 EUR
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IRFR6215TRPBF INFN-S-A0002298973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR6215TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR6215TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
auf Bestellung 6881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+4.75 EUR
83+2.81 EUR
124+1.74 EUR
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1000+1.26 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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