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Technische Details IRFR812TRPBF Infineon / IR
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; Idm: 14.4A; 78W; DPAK, Case: DPAK, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 2.3A, On-state resistance: 2.2Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 78W, Polarisation: unipolar, Technology: HEXFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 14.4A, Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRFR812TRPBF Produktcode: 111396 |
 Transistoren > MOSFET N-CH |
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| IRFR812TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; Idm: 14.4A; 78W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.3A On-state resistance: 2.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 14.4A Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRFR812TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK |
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IRFR812TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK |
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| IRFR812TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; Idm: 14.4A; 78W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.3A On-state resistance: 2.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 14.4A |
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