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IRFR825TRPBF

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Produktcode: 188539
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.33 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF Infineon Technologies infineonirfr825datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 43826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+2.61 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.08 EUR
10000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 6A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.5 EUR
76+3.06 EUR
100+2.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IRFR825TRPBF Infineon irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a MOSF N CH 500V 6A DPAK Транзистори
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFR825TRPBF International Rectifier/Infineon irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1346 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 1,3 Ом, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 119, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRFR825TRPBF INFN-S-A0012838739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR825TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Trans MOSFET N-CH 500V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR825TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Infineon
MOSF N CH 500V 6A DPAK Транзистори
auf Bestellung 12 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1346 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 1,3 Ом, Ugs(th) = 10 В, Р, Вт = 119, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 743 Stücke:
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