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Technische Details IRFR9210PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFR9210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.9 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 25W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Weitere Produktangebote IRFR9210PBF nach Preis ab 0.42 EUR bis 4.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRFR9210PBF | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9210PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 2413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9210PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube |
auf Bestellung 3098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9210PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.9 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 25W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
auf Bestellung 554 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFR9210PBF | Vishay/IR |
P-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 1,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 25, Qg, нКл = 8,9 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 1,1 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 75 Stücke |
verfügbar 1048 Stücke: |
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| IRFR9210PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 409+ | 0.43 EUR |
| 412+ | 0.42 EUR |
| IRFR9210PBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET
MOSFETs TO252 200V 1.9A P-CH MOSFET
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 2+ | 2.64 EUR |
| 10+ | 1.01 EUR |
| 100+ | 0.92 EUR |
| 500+ | 0.9 EUR |
| 6000+ | 0.84 EUR |
| 9000+ | 0.83 EUR |
| IRFR9210PBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Description: MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.75 EUR |
| 75+ | 1.21 EUR |
| IRFR9210PBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFR9210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.9 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: VISHAY - IRFR9210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 1.9 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
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Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 60+ | 4.22 EUR |
| 125+ | 1.86 EUR |
| 157+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.18 EUR |
| IRFR9210PBF |
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Hersteller: Vishay/IR
P-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 1,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 25, Qg, нКл = 8,9 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 1,1 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
P-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 1,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 25, Qg, нКл = 8,9 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 1,1 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
verfügbar 1048 Stücke: