IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFS3206TRRPBF nach Preis ab 1.1 EUR bis 5.05 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRFS3206TRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3206TRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3206TRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3206TRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3206TRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3206TRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3206TRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V |
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IRFS3206TRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3206TRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg |
auf Bestellung 2664 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFS3206TRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V |
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IRFS3206TRRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFS3206TRRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 709 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3206TRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3206TRRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS3206TRRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3206TRRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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