IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 2.01 EUR |
| 1600+ | 1.96 EUR |
| 2400+ | 1.9 EUR |
| 4000+ | 1.84 EUR |
| 5600+ | 1.55 EUR |
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Technische Details IRFS3206TRRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.
Weitere Produktangebote IRFS3206TRRPBF nach Preis ab 1.43 EUR bis 5.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 12800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3206TRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 821 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3206TRRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IRFS3206TRRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFS3206TRRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 2.02 EUR |
| 1600+ | 1.93 EUR |
| 2400+ | 1.83 EUR |
| 4000+ | 1.75 EUR |
| 5600+ | 1.43 EUR |
| IRFS3206TRRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 703 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 223+ | 2.96 EUR |
| 500+ | 2.64 EUR |
| IRFS3206TRRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 5.8 EUR |
| 44+ | 3.89 EUR |
| 100+ | 2.33 EUR |
| 800+ | 1.92 EUR |
| IRFS3206TRRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 821 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 5.8 EUR |
| 44+ | 3.99 EUR |
| 100+ | 2.42 EUR |
| 800+ | 2.02 EUR |
| IRFS3206TRRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 11 Stücke:
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| IRFS3206TRRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
Description: INFINEON - IRFS3206TRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 3000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)