IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 230W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IRFS3307ZTRLPBF nach Preis ab 1.17 EUR bis 5.07 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFS3307ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3307ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3307ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3307ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3307ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3307ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3307ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3307ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V |
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IRFS3307ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg |
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IRFS3307ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V |
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IRFS3307ZTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IRFS3307ZTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 230W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3307ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3307ZTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS3307ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS3307ZTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Type of transistor: N-MOSFET |
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