IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.74 EUR |
| 10+ | 3.94 EUR |
| 100+ | 2.9 EUR |
| 500+ | 2.85 EUR |
| 800+ | 2.5 EUR |
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Technische Details IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFS3307ZTRLPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRFS3307ZTRLPBF | INFINEON |
 Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRFS3307ZTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFS3307ZTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFS3307ZTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)