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IRFS3307ZTRLPBF

IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs3307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563691d7216c Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
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IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS3307Z_DataSheet_v01_01_EN-3363248.pdf MOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg
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IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs3307zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563691d7216c Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V
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IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Hersteller : INFINEON 1485745.pdf Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs3307zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF49FF83CD95EA&compId=IRFS3307ZTRLPBF.pdf?ci_sign=106fcfce984a17d8761c0f0f26faa5bffc97d713 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs3307z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF49FF83CD95EA&compId=IRFS3307ZTRLPBF.pdf?ci_sign=106fcfce984a17d8761c0f0f26faa5bffc97d713 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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