Technische Details IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFS3307ZTRLPBF nach Preis ab 2.25 EUR bis 10.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 90142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3307ZTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg |
auf Bestellung 1087 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFS3307ZTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS3307ZTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFS3307ZTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 210+ | 3.14 EUR |
| 500+ | 2.95 EUR |
| IRFS3307ZTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 210+ | 3.14 EUR |
| 500+ | 2.95 EUR |
| 1000+ | 2.71 EUR |
| 10000+ | 2.51 EUR |
| IRFS3307ZTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 6.02 EUR |
| 50+ | 4.07 EUR |
| 100+ | 3.92 EUR |
| 500+ | 2.82 EUR |
| 800+ | 2.73 EUR |
| 1600+ | 2.25 EUR |
| IRFS3307ZTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg
MOSFETs MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.83 EUR |
| 10+ | 4.69 EUR |
| 100+ | 3.45 EUR |
| 500+ | 3.39 EUR |
| 800+ | 2.98 EUR |
| IRFS3307ZTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 25+ | 10.2 EUR |
| IRFS3307ZTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS3307ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 5800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)