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IRFS4010TRLPBF

IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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1600+1.95 EUR
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
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1600+2.09 EUR
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.44 EUR
1600+2.2 EUR
2400+2.12 EUR
4000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
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800+2.44 EUR
1600+2.15 EUR
2400+2.03 EUR
4000+1.89 EUR
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187 Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.51 EUR
1600+2.34 EUR
2400+2.26 EUR
4000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 46064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
246+2.68 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.31 EUR
10000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 782 Stücke:
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246+2.68 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS4010TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF INFINEON IRSDS11704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
250+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.49 EUR
43+4.06 EUR
100+2.38 EUR
800+2.24 EUR
1600+2.14 EUR
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.32 EUR
50+4.07 EUR
100+3.34 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4010_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC Qg
auf Bestellung 1596 Stücke:
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1+7.08 EUR
10+4.41 EUR
100+3.25 EUR
500+2.51 EUR
800+2.49 EUR
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187 Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
auf Bestellung 5897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.08 EUR
10+4.63 EUR
100+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF INFINEON IRSDS11704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.62 EUR
43+5.45 EUR
50+4.37 EUR
100+3.7 EUR
250+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IRFS4010TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.12 EUR
1600+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS4010TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.14 EUR
1600+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS4010TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.44 EUR
1600+2.2 EUR
2400+2.12 EUR
4000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS4010TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.44 EUR
1600+2.15 EUR
2400+2.03 EUR
4000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS4010TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.51 EUR
1600+2.34 EUR
2400+2.26 EUR
4000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS4010TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 46064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
246+2.68 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.31 EUR
10000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFS4010TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
246+2.68 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 246 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFS4010TRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBF IRSDS11704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4010TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.7 EUR
250+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFS4010TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+5.49 EUR
43+4.06 EUR
100+2.38 EUR
800+2.24 EUR
1600+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBF irfs4010pbf.pdf
IRFS4010TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+6.32 EUR
50+4.07 EUR
100+3.34 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBF Infineon_IRFS4010_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFS4010TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC Qg
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.08 EUR
10+4.41 EUR
100+3.25 EUR
500+2.51 EUR
800+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBF irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187
IRFS4010TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
auf Bestellung 5897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.08 EUR
10+4.63 EUR
100+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFS4010TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+9.62 EUR
43+5.45 EUR
50+4.37 EUR
100+3.7 EUR
250+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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