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IRFS4010TRLPBF

IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs4010-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4010-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187 Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4010-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187 Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS4010_DataSheet_v01_01_EN-3363220.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC Qg
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25+4.17 EUR
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800+2.60 EUR
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Hersteller : INFINEON IRSDS11704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Hersteller : INFINEON IRSDS11704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4010-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4010-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs4010-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFS4010TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 143nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFS4010TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 143nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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