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IRFS4227TRLPBF

IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 330W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639ef64219b Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
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IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 1321 Stücke:
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IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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35+5.13 EUR
50+4.87 EUR
100+4.59 EUR
250+4.36 EUR
500+4.18 EUR
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IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1234 Stücke:
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32+5.62 EUR
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IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies infineon_irfs4227_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
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IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639ef64219b Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
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IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 1321 Stücke:
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22+11.7 EUR
41+5.66 EUR
50+5.14 EUR
100+4.66 EUR
250+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IRFS4227TRLPBF International Rectifier HiRel Products irfs4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639ef64219b IRFS4227TRLPBF
auf Bestellung 1600 Stücke:
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500+3.38 EUR
1000+3.11 EUR
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IRFS4227TRLPBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFS4227TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 68800 Stücke:
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IRFS4227TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
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IRFS4227TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 1321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.66 EUR
250+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFS4227TRLPBF infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFS4227TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 797 Stücke:
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35+5.13 EUR
50+4.87 EUR
100+4.59 EUR
250+4.36 EUR
500+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRFS4227TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4227TRLPBF infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFS4227TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS4227TRLPBF infineon_irfs4227_datasheet_en.pdf
IRFS4227TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
auf Bestellung 7504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+8.23 EUR
10+4.24 EUR
100+3.83 EUR
500+3.08 EUR
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IRFS4227TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
auf Bestellung 2596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.03 EUR
10+5.96 EUR
50+4.65 EUR
100+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFS4227TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 1321 Stücke:
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22+11.7 EUR
41+5.66 EUR
50+5.14 EUR
100+4.66 EUR
250+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
IRFS4227TRLPBF
auf Bestellung 1600 Stücke:
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186+3.61 EUR
500+3.38 EUR
1000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH