Technische Details IRFS4310TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.007 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFS4310TRLPBF nach Preis ab 2.88 EUR bis 10.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 22100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC |
auf Bestellung 4525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.007 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.007 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| IRFS4310TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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| IRFS4310TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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| 800+ | 2.89 EUR |
| IRFS4310TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 182+ | 3.63 EUR |
| 500+ | 3.4 EUR |
| 1000+ | 3.14 EUR |
| 10000+ | 2.88 EUR |
| IRFS4310TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 175+ | 3.78 EUR |
| 500+ | 3.58 EUR |
| 1000+ | 3.31 EUR |
| IRFS4310TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 7.58 EUR |
| 50+ | 4.94 EUR |
| 100+ | 3.67 EUR |
| 200+ | 3.36 EUR |
| 500+ | 3.08 EUR |
| IRFS4310TRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.38 EUR |
| 10+ | 5.82 EUR |
| 25+ | 5.78 EUR |
| 100+ | 4.06 EUR |
| 800+ | 3.42 EUR |
| IRFS4310TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.007 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.007 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| 24+ | 10.57 EUR |
| IRFS4310TRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.007 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.007 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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