IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies
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| 800+ | 1.15 EUR |
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Technische Details IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0113 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HexFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFS4510TRLPBF nach Preis ab 1.36 EUR bis 4.80 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFS4510TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4510TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4510TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4510TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4510TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4510TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4510TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V |
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IRFS4510TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4510TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4510TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC |
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IRFS4510TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0113 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFS4510TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V |
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IRFS4510TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0113 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFS4510TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4510TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IRFS4510TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Case: D2PAK Mounting: SMD Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 250A Drain current: 43A On-state resistance: 13.9mΩ Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4510TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IRFS4510TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Case: D2PAK Mounting: SMD Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 250A Drain current: 43A On-state resistance: 13.9mΩ |
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