IRFS52N15DTRLP Infineon Technologies
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Technische Details IRFS52N15DTRLP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 230W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IRFS52N15DTRLP nach Preis ab 1.7 EUR bis 4.52 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IRFS52N15DTRLP | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS52N15DTRLP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS52N15DTRLP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS52N15DTRLP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS52N15DTRLP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS52N15DTRLP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS52N15DTRLP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS52N15DTRLP | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V |
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IRFS52N15DTRLP | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC |
auf Bestellung 4112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFS52N15DTRLP | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V |
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IRFS52N15DTRLP | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IRFS52N15DTRLP | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1291 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS52N15DTRLP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS52N15DTRLP | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS52N15DTRLP | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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