IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 295A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFS7530TRLPBF nach Preis ab 1.38 EUR bis 5.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFS7530TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7530TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7530TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7530TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V |
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IRFS7530TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET N CH 60V 195A D2PAK |
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IRFS7530TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V |
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IRFS7530TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 295A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFS7530TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS7530TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS7530TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 295A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFS7530TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7530TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS7530TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 295A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 274nC Kind of channel: enhanced Trade name: StrongIRFET Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS7530TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 295A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 274nC Kind of channel: enhanced Trade name: StrongIRFET |
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