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IRFS7734TRLPBF

IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 183A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies irfs7734pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3160 Stücke:
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IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies irfs7734pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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auf Bestellung 140 Stücke:
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89+1.99 EUR
97+1.8 EUR
98+1.74 EUR
102+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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auf Bestellung 800 Stücke:
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800+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS7734_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
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IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies irfs7734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563abda921e2 Description: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 56 Stücke:
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IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFS7734TRLPBF Infineon irfs7734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563abda921e2 Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори
auf Bestellung 6 Stücke:
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1+7.76 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3160 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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IRFS7734TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3160 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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97+1.8 EUR
98+1.74 EUR
102+1.63 EUR
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Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
auf Bestellung 752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.48 EUR
100+2.14 EUR
800+2.12 EUR
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IRFS7734TRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFS7734TRLPBF INFN-S-A0012813639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7734TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 56 Stücke:
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IRFS7734TRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 56 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори
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