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IRFSL11N50APBF

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Produktcode: 206444
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF VISHAY IRFSL11N50APBF-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.53 EUR
38+2.28 EUR
42+2.05 EUR
50+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IRFSL11N50APBF IRFSL11N50APBF Vishay Semiconductors sihsl11n.pdf MOSFETs TO262 500V 11A N-CH MOSFET
auf Bestellung 883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.13 EUR
10+4.38 EUR
100+3.56 EUR
500+3.42 EUR
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IRFSL11N50APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 11A N-CH MOSFET
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