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IRFSL4010PBF

IRFSL4010PBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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Technische Details IRFSL4010PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF Infineon Technologies infineon-irfs4010-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF Infineon Technologies infineon-irfs4010-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF Infineon Technologies infineon-irfs4010-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4010_DataSheet_v01_01_EN-3363220.pdf description MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC
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IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187 description Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
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50+4.65 EUR
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IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4010pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 375W
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 2 Stücke:
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IRFSL4010PBF description irfs4010pbf.pdf
IRFSL4010PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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AnzahlPrivatkunde
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51+3.44 EUR
100+3.19 EUR
250+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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250+3.45 EUR
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IRFSL4010PBF
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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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IRFSL4010PBF
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MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC
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25+4.57 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
auf Bestellung 2525 Stücke:
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3+9.01 EUR
50+4.65 EUR
100+4.24 EUR
500+3.49 EUR
1000+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFSL4010PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 375W
Technology: HEXFET®
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