IRFSL4010PBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 5000+ | 2.30 EUR |
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Technische Details IRFSL4010PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote IRFSL4010PBF nach Preis ab 2.23 EUR bis 7.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IRFSL4010PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFSL4010PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 3170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFSL4010PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFSL4010PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 375W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFSL4010PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 375W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFSL4010PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFSL4010PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFSL4010PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC |
auf Bestellung 424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFSL4010PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFSL4010PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFSL4010PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
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