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IRFSL7437PBF Infineon Technologies

Produktcode: 212143
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs7437-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
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IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfs7437-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1115 Stücke:
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44+3.32 EUR
66+2.13 EUR
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200+1.19 EUR
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IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF Hersteller : Infineon Technologies irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
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5+3.85 EUR
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100+1.55 EUR
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IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFS7437_DataSheet_v01_01_EN-3363351.pdf MOSFETs 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262
auf Bestellung 661 Stücke:
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1+3.96 EUR
10+3.73 EUR
25+1.62 EUR
100+1.56 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.3 EUR
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IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Case: TO262
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 225nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1kA
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
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6+11.91 EUR
10+7.15 EUR
14+5.11 EUR
37+1.93 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Case: TO262
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 225nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1kA
Mounting: THT
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Mindestbestellmenge: 6
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IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838761-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFSL7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 412 Stücke:
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IRFSL7437PBF Hersteller : Infineon irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
auf Bestellung 460000 Stücke:
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