Weitere Produktangebote IRFSL7437PBF Infineon Technologies nach Preis ab 1.17 EUR bis 7.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRFSL7437PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFSL7437PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFSL7437PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFSL7437PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 1115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFSL7437PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFSL7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1800 µohm, TO-262, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFSL7437PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFSL7437PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262 |
auf Bestellung 1078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFSL7437PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 230W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1kA |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFSL7437PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 95+ | 1.81 EUR |
| 96+ | 1.76 EUR |
| 100+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
| IRFSL7437PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 95+ | 1.82 EUR |
| 96+ | 1.74 EUR |
| 100+ | 1.65 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.17 EUR |
| IRFSL7437PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 238+ | 2.17 EUR |
| 500+ | 1.93 EUR |
| IRFSL7437PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 4.3 EUR |
| 61+ | 2.81 EUR |
| 100+ | 1.82 EUR |
| 200+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.62 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| IRFSL7437PBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFSL7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1800 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
Description: INFINEON - IRFSL7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1800 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 5.93 EUR |
| 58+ | 4.06 EUR |
| 100+ | 3.19 EUR |
| 500+ | 2.65 EUR |
| 1000+ | 2.49 EUR |
| IRFSL7437PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
auf Bestellung 1113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.28 EUR |
| 10+ | 4.78 EUR |
| 50+ | 3.7 EUR |
| 100+ | 3.36 EUR |
| 500+ | 2.74 EUR |
| IRFSL7437PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262
MOSFETs 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.33 EUR |
| 10+ | 3.72 EUR |
| 100+ | 3.37 EUR |
| 500+ | 2.76 EUR |
| 1000+ | 2.64 EUR |
| IRFSL7437PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1kA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1kA
auf Bestellung 36 Stücke:
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| IPP020N06N Infineon Technologie Produktcode: 212141
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