IRFSL7440PBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRFSL7440PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 120A TO-262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFSL7440PBF nach Preis ab 0.79 EUR bis 2.71 EUR
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IRFSL7440PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFSL7440PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
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IRFSL7440PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
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IRFSL7440PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 147A Pulsed drain current: 772A Power dissipation: 208W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFSL7440PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 147A Pulsed drain current: 772A Power dissipation: 208W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
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IRFSL7440PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFSL7440PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, TO-262 |
auf Bestellung 7039 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFSL7440PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 40V 120A TO-262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V |
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IRFSL7440PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
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IRFSL7440PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
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