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Technische Details IRFU120PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFU120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRFU120PBF nach Preis ab 0.56 EUR bis 2.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFU120PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFETs TO251 100V 7.7A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 4059 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU120PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU120PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFU120PBF | Hersteller : VISHAY |
IRFU120PBF THT N channel transistors |
auf Bestellung 1279 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFU120PBF Produktcode: 114583
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFU120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFU120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFU120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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