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IRFU120PBF

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Produktcode: 114583
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Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRFU120PBF

  • MOSFET, N, 100V, 7.7A, I-PAK
  • Transistor Polarity:N
  • Max Current Id:7.7A
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.27ohm
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Max Voltage Vgs:20V
  • Power Dissipation:0W
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • Transistor Case Style:I-PAK
  • Alternate Case Style:I-PAK
  • Case Style:I-PAK
  • Cont Current Id:7.7A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:0`C/W
  • On State resistance @ Vgs = 10V:270ohm
  • Power Dissipation Pd:42W
  • Pulse Current Idm:31A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Turn Off Time, t Off:14ns
  • Turn On Time, t On:27ns
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Weitere Produktangebote IRFU120PBF nach Preis ab 0.74 EUR bis 3.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFU120PBF IRFU120PBF Vishay sihfr120.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
196+0.9 EUR
900+0.81 EUR
1350+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120PBF IRFU120PBF Vishay Semiconductors sihfr120.pdf description MOSFETs TO251 100V 7.7A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+0.96 EUR
100+0.93 EUR
1000+0.88 EUR
6000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFU120PBF IRFU120PBF VISHAY VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRFU120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.43 EUR
213+1.09 EUR
222+0.96 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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IRFU120PBF IRFU120PBF Vishay Siliconix sihfr120.pdf description Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
auf Bestellung 3680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.75 EUR
75+1.69 EUR
150+1.52 EUR
525+1.27 EUR
1050+1.18 EUR
2025+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFU120PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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Hersteller: Vishay Semiconductors
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IRFU120PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRFU120PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
auf Bestellung 3680 Stücke:
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6+3.75 EUR
75+1.69 EUR
150+1.52 EUR
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