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| 197+ | 0.76 EUR |
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Technische Details IRFU210PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFU210PBF nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IRFU210PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFU210PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO251 200V 2.6A N-CH MOSFET |
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IRFU210PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
auf Bestellung 11306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU210PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1839 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFU210PBF | Hersteller : none |
08+ |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRFU210PBF | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 825 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFU210PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFU210PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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| IRFU210PBF | Hersteller : VISHAY |
IRFU210PBF THT N channel transistors |
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