IRFU2307ZPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
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Technische Details IRFU2307ZPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 42A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V.
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MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK Транзистори |
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IRFU2307ZPBF | Infineon / IR |
MOSFET MOSFT 75V 53A 16mOhm 50nC Qg |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRFU2307ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU2307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 53 A, 0.0128 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 53 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 110 Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0128 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFU2307ZPBF |
|
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK Транзистори
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| IRFU2307ZPBF |
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Hersteller: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 75V 53A 16mOhm 50nC Qg
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| IRFU2307ZPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU2307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 53 A, 0.0128 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 53
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0128
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFU2307ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 53 A, 0.0128 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 53
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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