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Technische Details IRFU310PBF Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - IRFU310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.7 A, 3.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRFU310PBF nach Preis ab 0.74 EUR bis 23.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IRFU310PBF | Hersteller : VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.1A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFU310PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.1A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRFU310PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.7 A, 3.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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IRFU310PBF Produktcode: 32370 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: I-Pak Uds,V: 400 Idd,A: 01.07.2015 Rds(on), Ohm: 03.06.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.170 JHGF: THT |
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IRFU310PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFU310PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFU310PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFU310PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
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