| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 163+ | 0.88 EUR |
| 178+ | 0.77 EUR |
| 600+ | 0.67 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFU310PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFU310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.7 A, 3.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRFU310PBF nach Preis ab 0.44 EUR bis 3.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU310PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.1A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRFU310PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 400V 1.7 Amp |
auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IRFU310PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.7 A, 3.6 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
IRFU310PBF Produktcode: 32370
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: I-Pak Uds,V: 400 Idd,A: 01.07.2015 Rds(on), Ohm: 03.06.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 01.12.170 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|
||||||||||||||
|
IRFU310PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
IRFU310PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 1.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
| IRFU310PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальный ПТ (Vds=400V, Id=1.7A@T=25C, Id=1.1A@T=100C, Rds=3.6 R, P=25W, -55 to +150C).... Група товару: Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 75 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
| IRFU310PBF | Hersteller : Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Id = 1,7 А, Ptot, Вт = 2,5, Udss, В = 400, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 170 @ 25, Qg, нКл = 12 @ 10 В, Rds = 3,6 Ом @ 1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: I-PAK Од. вAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
| IRFU310PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Код виробника: SiHFU310-E3 N-CH. 400V 1.7A IPAK=TO-251 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
|
IRFU310PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AAPackaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |





