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Technische Details IRFU320PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFU320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Weitere Produktangebote IRFU320PBF nach Preis ab 0.77 EUR bis 4.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRFU320PBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU320PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU320PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
auf Bestellung 572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU320PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 2134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU320PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp |
auf Bestellung 3688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU320PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-251AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole |
auf Bestellung 2342 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFU320PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 1.18 EUR |
| IRFU320PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 135+ | 1.31 EUR |
| IRFU320PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 1.62 EUR |
| 81+ | 1.06 EUR |
| 90+ | 0.95 EUR |
| 99+ | 0.87 EUR |
| 150+ | 0.83 EUR |
| 525+ | 0.77 EUR |
| IRFU320PBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: VISHAY - IRFU320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 2134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 105+ | 2.38 EUR |
| 131+ | 1.78 EUR |
| 165+ | 1.3 EUR |
| 1000+ | 1.29 EUR |
| IRFU320PBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp
MOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp
auf Bestellung 3688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.75 EUR |
| 10+ | 1.76 EUR |
| 100+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.26 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| 3000+ | 1.08 EUR |
| 6000+ | 1.05 EUR |
| IRFU320PBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
auf Bestellung 2342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 4.08 EUR |
| 75+ | 1.84 EUR |
| 150+ | 1.67 EUR |
| 525+ | 1.39 EUR |
| 1050+ | 1.29 EUR |
| 2025+ | 1.19 EUR |