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IRFU320PBF

IRFU320PBF VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD7DDFA3EC469&compId=IRFU320PBF.pdf?ci_sign=32454cd43853c412361b06dbd4625f14ad535ae8 Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
123+0.58 EUR
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152+0.47 EUR
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Technische Details IRFU320PBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFU320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

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IRFU320PBF IRFU320PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BD7DDFA3EC469&compId=IRFU320PBF.pdf?ci_sign=32454cd43853c412361b06dbd4625f14ad535ae8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251
Case: IPAK; TO251
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
123+0.58 EUR
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IRFU320PBF IRFU320PBF Hersteller : Vishay sihfr320.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU320PBF IRFU320PBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihfr320.pdf MOSFETs N-Chan 400V 3.1 Amp
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IRFU320PBF IRFU320PBF Hersteller : Vishay sihfr320.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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IRFU320PBF IRFU320PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 2342 Stücke:
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Anzahl Preis
6+3.43 EUR
75+1.55 EUR
150+1.4 EUR
525+1.17 EUR
1050+1.08 EUR
2025+1 EUR
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IRFU320PBF IRFU320PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013857050-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 2134 Stücke:
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