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IRFU4510PBF

IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES

IRFU4510PBF.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 143W
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+2.81 EUR
46+1.89 EUR
50+1.74 EUR
60+1.43 EUR
75+1.36 EUR
150+1.23 EUR
450+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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Technische Details IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFU4510PBF IRFU4510PBF INFINEON 1627145.pdf Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
135+1.71 EUR
143+1.5 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRFU4510PBF IRFU4510PBF Infineon Technologies irg7ph35udpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.13 EUR
149+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRFU4510PBF IRFU4510PBF Infineon Technologies irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1 Description: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.9 EUR
75+2.26 EUR
150+2.03 EUR
525+1.73 EUR
1050+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRFU4510PBF IRFU4510PBF Infineon Technologies Infineon_IRFR4510_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+3.28 EUR
100+2.24 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.67 EUR
3000+1.5 EUR
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IRFU4510PBF International Rectifier HiRel Products irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1 Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+2.17 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
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IRFU4510PBF International Rectifier HiRel Products irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1 Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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305+2.17 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
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IRFU4510PBF irfr4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563228bc20f1 IRFU4510PBF Транзисторы FETKY
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRFU4510PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRFU4510PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
305+2.17 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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305+2.17 EUR
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IRFU4510PBF Транзисторы FETKY
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