IRFU5505PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFU5505PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 18A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFU5505PBF nach Preis ab 1.15 EUR bis 1.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IRFU5505PBF | Hersteller : Infineon / IR |
 MOSFET MOSFT P-Ch -55V -18A 110mOhm 21.3nC |
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IRFU5505PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU5505PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
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;;3.jpg "IRFU5505PBF") |
IRFU5505PBF Produktcode: 67411 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
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IRFU5505PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRFU5505PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -18A Power dissipation: 57W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFU5505PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 18A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
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IRFU5505PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -18A Power dissipation: 57W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
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