IRFU5505PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFU5505PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 18A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFU5505PBF nach Preis ab 0.59 EUR bis 1.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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IRFU5505PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 8787 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU5505PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU5505PBF | Hersteller : Infineon / IR |
MOSFET MOSFT P-Ch -55V -18A 110mOhm 21.3nC |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU5505PBF | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFU5505PBF - IRFU5505 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 10983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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;;3.jpg "IRFU5505PBF") |
IRFU5505PBF Produktcode: 67411
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IRFU5505PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFU5505PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 18A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
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