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IRFU9024N
Produktcode: 28049
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Technische Details IRFU9024N
- MOSFET, P I-PAK
- Transistor Polarity:P
- Max Voltage Vds:55V
- On State Resistance:0.175ohm
- Power Dissipation:38W
- Transistor Case Style:TO-251
- Case Style:TO-251 (I-Pak)
- Cont Current Id:11A
- Current Temperature:25`C
- Power Dissipation Pd:38W
- Pulse Current Idm:44A
- SMD Marking:IRFU 9024N
- Transistor Type:MOSFET
- Turn Off Time, t Off:23ns
- Turn On Time, t On:13ns
Weitere Produktangebote IRFU9024N nach Preis ab 0.92 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFU9024N | Hersteller : International Rectifier |
P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||
| IRFU9024N | Hersteller : IR |
TO251 10+ |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||
 |
IRFU9024N | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |