Weitere Produktangebote IRFZ20PBF nach Preis ab 1.33 EUR bis 4.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRFZ20PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFETs TO220 N-CH 50V 15A |
auf Bestellung 1937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFZ20PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFZ20PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFZ20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1523 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 50V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFZ20PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 15A; Idm: 60A; 40W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |