IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.
Weitere Produktangebote IRFZ34NSTRLPBF nach Preis ab 0.76 EUR bis 4.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRFZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 47200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 95425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 4790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFZ34NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFZ34NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
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IRFZ34NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
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IRFZ34NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 29A Power dissipation: 68W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
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| IRFZ34NSTRLPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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| IRFZ34NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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| IRFZ34NSTRLPBF |
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|---|---|
| 146+ | 1.23 EUR |
| 156+ | 1.13 EUR |
| 166+ | 1.04 EUR |
| 250+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| IRFZ34NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 139+ | 1.29 EUR |
| IRFZ34NSTRLPBF |
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Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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auf Bestellung 385 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 139+ | 1.29 EUR |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 131+ | 1.36 EUR |
| 146+ | 1.18 EUR |
| 156+ | 1.06 EUR |
| 166+ | 0.96 EUR |
| 250+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| IRFZ34NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 95425 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 396+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.34 EUR |
| 10000+ | 1.18 EUR |
| IRFZ34NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4790 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 396+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.34 EUR |
| IRFZ34NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 30137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 396+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.34 EUR |
| 10000+ | 1.18 EUR |
| IRFZ34NSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 396+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.34 EUR |
| IRFZ34NSTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 4.38 EUR |
| 106+ | 2.2 EUR |
| 118+ | 1.82 EUR |
| 128+ | 1.68 EUR |
| 250+ | 1.55 EUR |
| IRFZ34NSTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.38 EUR |
| 106+ | 2.2 EUR |
| 118+ | 1.82 EUR |
| 128+ | 1.68 EUR |
| 250+ | 1.55 EUR |
| IRFZ34NSTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFZ34NSTRLPBF |
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
verfügbar 1 Stücke: