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IRFZ34NSTRLPBF

IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

infineonirfz34nsdatasheeten.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 25600 Stücke:
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Technische Details IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irfz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b1a522202 Description: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.63 EUR
108+1.59 EUR
138+1.21 EUR
250+1.19 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.69 EUR
73+1.17 EUR
85+1 EUR
100+0.96 EUR
250+0.92 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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85+2.06 EUR
107+1.57 EUR
108+1.5 EUR
138+1.13 EUR
250+1.07 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
119+1.81 EUR
129+1.67 EUR
250+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.13 EUR
82+2.07 EUR
139+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz34nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.13 EUR
82+2.12 EUR
139+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irfz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b1a522202 Description: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 1416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.83 EUR
10+2.45 EUR
100+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irfz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b1a522202 MOSFETs MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+2.59 EUR
100+1.78 EUR
500+1.38 EUR
800+1.27 EUR
2400+1.15 EUR
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IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.4 EUR
89+2.62 EUR
119+1.81 EUR
129+1.67 EUR
250+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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IRFZ34NSTRLPBF International Rectifier/Infineon Infineon-IRFZ34NS.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 25600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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800+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFZ34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.26 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
107+1.63 EUR
108+1.59 EUR
138+1.21 EUR
250+1.19 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+1.69 EUR
73+1.17 EUR
85+1 EUR
100+0.96 EUR
250+0.92 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
85+2.06 EUR
107+1.57 EUR
108+1.5 EUR
138+1.13 EUR
250+1.07 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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IRFZ34NSTRLPBF INFN-S-A0012826835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFZ34NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 1192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.62 EUR
119+1.81 EUR
129+1.67 EUR
250+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+3.13 EUR
82+2.07 EUR
139+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+3.13 EUR
82+2.12 EUR
139+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ34NSTRLPBF irfz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b1a522202
IRFZ34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 1416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.83 EUR
10+2.45 EUR
100+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFZ34NSTRLPBF irfz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b1a522202
IRFZ34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4 EUR
10+2.59 EUR
100+1.78 EUR
500+1.38 EUR
800+1.27 EUR
2400+1.15 EUR
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IRFZ34NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 1192 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
57+4.4 EUR
89+2.62 EUR
119+1.81 EUR
129+1.67 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
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