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Technische Details IRFZ40PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFZ40PBF nach Preis ab 0.69 EUR bis 2.15 EUR
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IRFZ40PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ40PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 N-CH 60V 50A |
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IRFZ40PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2059 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFZ40PBF Produktcode: 150975
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFZ40PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 50V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRFZ40PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRFZ40PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFZ40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 35 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: To Be Advised |
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| IRFZ40PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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