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IRFZ46NPBF

IRFZ46NPBF

irfz46npbf-datasheet.pdf
Produktcode: 48533
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 53
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
JHGF: THT
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Technische Details IRFZ46NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 46A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:46A
  • On State Resistance:0.02ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.7`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:88W
  • Power Dissipation Pd:88W
  • Pulse Current Idm:180A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfz46n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfz46n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Hersteller : Infineon Technologies irfz46npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b734b2220 Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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30+ 1.78 EUR
100+ 1.38 EUR
500+ 1.2 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFZ46NPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irfz46npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b734b2220 (TO-220AB)
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
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Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 13371 Stück:
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 55
Rds(on), Ohm: 0.0165
Ciss, pF/Qg, nC: 1812/67
JHGF: THT
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fT: 100 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 100
Ic,A: 1
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 484 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.11 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.09 EUR
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Produktcode: 996		 BZX55.pdf
BZX55-C24
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 24
Istab.direkt,A: 0,017
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 20.4mV/K
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