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IRFZ46NPBF

IRFZ46NPBF

irfz46npbf-datasheet.pdf
Produktcode: 48533
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 53 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,020 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1696/72
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
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Technische Details IRFZ46NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 46A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:46A
  • On State Resistance:0.02ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.7`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:88W
  • Power Dissipation Pd:88W
  • Pulse Current Idm:180A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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288+0.61 EUR
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4200 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 235 Stücke
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 48nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 74 Stücke:
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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84+2.11 EUR
123+1.39 EUR
176+0.93 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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122+1.43 EUR
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500+0.76 EUR
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFZ46N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineon-irfz46n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON INFN-S-A0012837608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFZ46NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
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74+3.4 EUR
117+1.99 EUR
176+1.21 EUR
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IRFZ46NPBF International Rectifier irfz46n.pdf description (TO-220AB) Транзистори
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IRFZ46NPBF description infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf
IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ46NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 48nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+1.9 EUR
68+1.26 EUR
74+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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123+1.39 EUR
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IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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83+2.12 EUR
122+1.43 EUR
175+0.98 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC
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2000+0.69 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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2000+0.7 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFZ46NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ46NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
auf Bestellung 207 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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Hersteller: International Rectifier
(TO-220AB) Транзистори
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510 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-510R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1735
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510 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-510R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 510 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Produkt ist nicht verfügbar
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100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1722
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100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 100 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
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5,1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-5K1R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1345
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5,1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-5K1R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 5,1 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Produkt ist nicht verfügbar
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  • 20000 St. - erwartet
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10+0.006 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-3KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1338
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3 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-3KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 3 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
erwartet: 20000 St.
  • 20000 St. - erwartet 01.11.2026
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10000+0.0027 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1768
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1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 1 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
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