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IRFZ46NPBF

IRFZ46NPBF

irfz46npbf-datasheet.pdf
Produktcode: 48533
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 53
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
JHGF: THT
verfügbar 90 St.:
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Technische Details IRFZ46NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 46A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:46A
  • On State Resistance:0.02ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.7`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:88W
  • Power Dissipation Pd:88W
  • Pulse Current Idm:180A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfz46n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz46n-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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13+1.36 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFZ46N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfz46n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFZ46NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IRFZ46NPBF Hersteller : International Rectifier Corporation infineon-irfz46n-datasheet-en.pdf (TO-220AB)
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5,1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1345
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5,1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 5,1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
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100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (1206B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 3891
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100nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (1206B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
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PC817A
Produktcode: 18418
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pc817a.pdf
PC817A
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
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100+0.088 EUR
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MCP602-I/SN
Produktcode: 25256
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21314g.pdf
MCP602-I/SN
Hersteller: MCP
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Vc, V: 2,7-5,5V
BW, MHz: 2.8
Vio, mV(Biasspannung): ±0,7
Geschw. Nar., V/mks: 2,3
Temperaturbereich: -40…+85°C
Bemerkungen: Rail-to-Rail CMOS Zahl Kanäle: 1
ZCODE: 2
Монтаж: SMD
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10+0.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LD1117DT50CTR
Produktcode: 38324
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en.CD00000544.pdf
LD1117DT50CTR
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: D-Pak
Uin, V: 15
Uout,V: 5
Iout,A: 0.8
Udrop, V: 1.1
Bemerkung: Fixed
Temperaturbereich: -40…150
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 St.:
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
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