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IRFZ46NPBF

IRFZ46NPBF

irfz46npbf-datasheet.pdf
Produktcode: 48533
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55
Idd,A: 53
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 1696/72
JHGF: THT
verfügbar 75 St.:
6 St. - stock Köln
69 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.72 EUR
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Technische Details IRFZ46NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 46A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:46A
  • On State Resistance:0.02ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.7`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:88W
  • Power Dissipation Pd:88W
  • Pulse Current Idm:180A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+0.6 EUR
271+0.53 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.66 EUR
241+0.58 EUR
272+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.44 EUR
76+0.95 EUR
88+0.82 EUR
98+0.74 EUR
109+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineonirfz46ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.83 EUR
115+1.24 EUR
168+0.83 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies infineon-irfz46n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
auf Bestellung 3376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.36 EUR
12+1.49 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFZ46N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC
auf Bestellung 1252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.66 EUR
10+1.65 EUR
100+1.1 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.71 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON INFN-S-A0012837608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFZ46NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFZ46NPBF International Rectifier irfz46n.pdf description (TO-220AB) Транзистори
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3+2.32 EUR
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IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Anzahl Preis
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IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4900 Stücke:
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Anzahl Preis
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241+0.58 EUR
272+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.38 EUR
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IRFZ46NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 171 Stücke:
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Anzahl Preis
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IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V
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IRFZ46NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC
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IRFZ46NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ46NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0165 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
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IRFZ46NPBF description irfz46n.pdf
Hersteller: International Rectifier
(TO-220AB) Транзистори
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100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1722
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100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 100 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 14522 St.
5000 St. - stock Köln
9522 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 St.
40000 St. - erwartet
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5,1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1345
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5,1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 5,1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 20000 St.
20000 St. - erwartet 10.08.2026
Anzahl Preis
10+0.005 EUR
100+0.0034 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1338
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3 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 3 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 7200 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20000 St.:
20000 St. - erwartet
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
510 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1735
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510 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 510 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 1946 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20000 St.:
20000 St. - erwartet
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1768
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1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 60847 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.0038 EUR
100+0.0024 EUR
1000+0.0017 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH