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IRFZ48NSTRLPBF

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Produktcode: 191709
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz48nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Infineon Technologies irfz48nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563eb276222e Description: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.14 EUR
2400+1 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz48nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz48nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz48nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.65 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirfz48nsdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.74 EUR
100+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON 107908.pdf Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
113+1.89 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Infineon Technologies irfz48nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563eb276222e Description: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
auf Bestellung 7802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.58 EUR
10+2.28 EUR
50+1.71 EUR
100+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Infineon Technologies infineon_irfz48ns_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
auf Bestellung 14308 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+1.73 EUR
100+1.55 EUR
500+1.15 EUR
800+1.01 EUR
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IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON 107908.pdf Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.07 EUR
77+3.02 EUR
113+1.89 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2571 Stücke:
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auf Bestellung 2571 Stücke:
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IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 753 Stücke:
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100+3.02 EUR
113+1.89 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 25 V
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MOSFETs MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC
auf Bestellung 14308 Stücke:
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500+1.15 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
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