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IRFZ48SPBF

IRFZ48SPBF Vishay Siliconix

sihfz48s.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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Technische Details IRFZ48SPBF Vishay Siliconix

Description: VISHAY - IRFZ48SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 190W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFZ48SPBF IRFZ48SPBF Vishay Semiconductors sihfz48s.pdf MOSFETs N-Channel 60V Power MOSFET
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IRFZ48SPBF IRFZ48SPBF VISHAY VISH-S-A0011155896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFZ48SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFZ48SPBF IRFZ48SPBF VISHAY VISH-S-A0011155896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFZ48SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
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Description: VISHAY - IRFZ48SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFZ48SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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