IRG7PH35UD-EP International Rectifier
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Technische Details IRG7PH35UD-EP International Rectifier
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 25A, Power dissipation: 70W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 60A, Mounting: THT, Gate charge: 85nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 45ns, Turn-off time: 240ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IRG7PH35UD-EP
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IRG7PH35UD-EP | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
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IRG7PH35UD-EP | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 70W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Turn-on time: 45ns Turn-off time: 240ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRG7PH35UD-EP | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 59 |
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IRG7PH35UD-EP | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 70W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Turn-on time: 45ns Turn-off time: 240ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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