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IRGP4760D-EPBF Infineon / IR


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Hersteller: Infineon / IR
IGBT Transistors IGBT DISCRETES
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Technische Details IRGP4760D-EPBF Infineon / IR

Description: IGBT 650V 90A TO-247AD, Power - Max: 325 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 144 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 90 A, Gate Charge: 145 nC, Test Condition: 400V, 48A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 1.7mJ (on), 1mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns, Supplier Device Package: TO-247AD, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 48A, Reverse Recovery Time (trr): 170 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRGP4760D-EPBF Infineon IRGP4760D%28-E%29PbF.pdf
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