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IRGR4610DPBF

IRGR4610DPBF Infineon / IR


irgs4610dpbf-1228036.pdf Hersteller: Infineon / IR
IGBT Transistors 600V TRENCH ULTRAFAST IGBT
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Technische Details IRGR4610DPBF Infineon / IR

Description: IGBT 600V 16A 77W DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 74 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: D-Pak, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns, Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off), Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V, Gate Charge: 13 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A, Power - Max: 77 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRGR4610DPBF IRGR4610DPBF Hersteller : Infineon Technologies 3557irgs4610dpbf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 77000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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IRGR4610DPBF IRGR4610DPBF Hersteller : Infineon Technologies IRGx4610DPbF.pdf Description: IGBT 600V 16A 77W DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: D-Pak
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 77 W
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