Technische Details IRGS10B60KDPBF Infineon / IR
Description: IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D, Power - Max: 156 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 44 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Part Status: Active, Gate Charge: 38 nC, Test Condition: 400V, 10A, 47Ohm, 15V, Switching Energy: 140µJ (on), 250µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 30ns/230ns, Supplier Device Package: D2PAK, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 10A, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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| IRGS10B60KDPBF | Infineon |
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auf Bestellung 242000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRGS10B60KDPBF |
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Hersteller: Infineon
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