IRL1404ZPBF VBSemi
Produktcode: 219024
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Lieblingsprodukt
Hersteller: VBSemi
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 160 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6590/110
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: THT
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IRL1404ZPBF Produktcode: 34998
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 160 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6590/110 Bemerkung: Logikpegelsteuerung Montage: THT |
auf Bestellung 10 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRL1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 931 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 523 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL1404ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 790A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRL1404ZPBF Produktcode: 34998
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 160 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6590/110
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 160 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6590/110
Bemerkung: Logikpegelsteuerung
Montage: THT
auf Bestellung 10 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 1.67 EUR |
| 10+ | 1.5 EUR |
| IRL1404ZPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 216+ | 3.06 EUR |
| IRL1404ZPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 931 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 216+ | 3.06 EUR |
| 500+ | 2.71 EUR |
| IRL1404ZPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 523 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 216+ | 3.06 EUR |
| 500+ | 2.71 EUR |
| IRL1404ZPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 14.17 EUR |
| IRL1404ZPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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