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IRL1404ZPBF

IRL1404ZPBF VBSemi

irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5
Produktcode: 219024
Hersteller: VBSemi
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 160 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF
Produktcode: 34998
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Hersteller : IR irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 160
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irl1404zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
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Anzahl Preis
14+5.11 EUR
50+2.12 EUR
100+1.9 EUR
250+1.63 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irl1404zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Polarisation: unipolar
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 14
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6 Stücke:
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRL1404Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC LogLvAB
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