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IRL1404ZPBF

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Produktcode: 34998
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 160
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRL1404Z_DataSheet_v01_01_EN-3363594.pdf MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC LogLvAB
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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20 Ohm 5% 0,5W (MFR050SSJTB-20R-Hitano)
Produktcode: 55032
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FMF-MFR_120622ds.pdf
20 Ohm 5% 0,5W (MFR050SSJTB-20R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,4W 0,5W 0,6W
Resistenz: 20 Ohm
Präzision: ±5%, ±100ppm
P Nenn.,W: 0,5W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 3,2x1,5mm, DAusfuhr.=0,45mm
Typ: metall-folien miniatur
verfügbar: 5184 Stück
500 Stück - stock Köln
4684 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Дротяний припій, 1mm, 16g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2 5% Ø1.0, 16g
Produktcode: 99859
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cynel.pdf
Дротяний припій, 1mm, 16g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2 5% Ø1.0, 16g
Hersteller: CYNEL
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Припій з флюсом
Beschreibung: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,0мм; 0,016кг; флюс: F-SW26; 2,5%, температура плавлення:190 ° С
Gewicht: 16 g
Durchschnitt: 1 mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
№ 6: Свинцевий
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10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2210
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RC_series.pdf
10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 17096 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40000 Stück:
40000 Stück - erwartet 26.09.2025
Anzahl Preis
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100+0.04 EUR
1000+0.00 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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4,3 MOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2204
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RC_series.pdf
4,3 MOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 4,3 MOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 74750 Stück
5000 Stück - stock Köln
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390 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2183
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rc_series_20150401_1.pdf
390 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 390 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 17921 Stück
1200 Stück - stock Köln
16721 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Mindestbestellmenge: 10
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