IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 230W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.
Weitere Produktangebote IRL1404ZSTRLPBF nach Preis ab 1.45 EUR bis 6.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 219300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl |
auf Bestellung 2824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL1404ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 790A Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IRL1404ZSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IRL1404ZSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 124+ | 1.46 EUR |
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.57 EUR |
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.57 EUR |
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.75 EUR |
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.75 EUR |
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 2.19 EUR |
| 2400+ | 1.96 EUR |
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 2.81 EUR |
| 82+ | 2.12 EUR |
| 111+ | 1.54 EUR |
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 2.81 EUR |
| 82+ | 2.05 EUR |
| 111+ | 1.45 EUR |
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 223+ | 3.03 EUR |
| 500+ | 2.7 EUR |
| 1000+ | 2.43 EUR |
| 10000+ | 2.12 EUR |
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 219300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 223+ | 3.03 EUR |
| 500+ | 2.7 EUR |
| 1000+ | 2.43 EUR |
| 10000+ | 2.12 EUR |
| 100000+ | 1.75 EUR |
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 4.32 EUR |
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 4.34 EUR |
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl
auf Bestellung 2824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.12 EUR |
| 10+ | 2.87 EUR |
| 100+ | 2.62 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| 800+ | 2.05 EUR |
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
auf Bestellung 7054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.33 EUR |
| 10+ | 4.12 EUR |
| 50+ | 3.17 EUR |
| 100+ | 2.86 EUR |
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 790A
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 790A
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRL1404ZSTRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 20 Stücke:
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