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IRL1404ZSTRLPBF

IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2050 Stücke:
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Technische Details IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 230W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
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auf Bestellung 3200 Stücke:
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800+1.27 EUR
1600+1.21 EUR
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auf Bestellung 7200 Stücke:
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IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.43 EUR
1600+1.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404xxPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 705 Stücke:
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28+2.57 EUR
36+2.02 EUR
40+1.79 EUR
53+1.36 EUR
100+1.22 EUR
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Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
auf Bestellung 5110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.98 EUR
10+2.57 EUR
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IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRL1404Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl
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100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
800+1.34 EUR
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IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON 1911596.pdf Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON 1911596.pdf Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRL1404ZSTRLPBF International Rectifier HiRel Products irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 IRL1404ZSTRLPBF
auf Bestellung 49600 Stücke:
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289+1.9 EUR
500+1.69 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
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auf Bestellung 1444 Stücke:
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AnzahlPreis
113+1.2 EUR
114+1.15 EUR
250+1.1 EUR
500+1.06 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
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AnzahlPreis
800+1.27 EUR
1600+1.21 EUR
2400+1.15 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+1.27 EUR
1600+1.24 EUR
2400+1.2 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
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AnzahlPreis
800+1.29 EUR
1600+1.26 EUR
2400+1.22 EUR
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5600+1.15 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
113+1.3 EUR
114+1.27 EUR
250+1.24 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+1.3 EUR
1600+1.24 EUR
2400+1.18 EUR
4000+1.12 EUR
5600+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
800+1.43 EUR
1600+1.33 EUR
2400+1.27 EUR
4000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
289+1.9 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.52 EUR
10000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRL1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 705 Stücke:
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AnzahlPreis
28+2.57 EUR
36+2.02 EUR
40+1.79 EUR
53+1.36 EUR
100+1.22 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRL1404ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
auf Bestellung 5110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
5+3.98 EUR
10+2.57 EUR
100+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL1404ZSTRLPBF Infineon_IRL1404Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRL1404ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC Log Lvl
auf Bestellung 4658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+4.26 EUR
10+2.53 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
800+1.34 EUR
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IRL1404ZSTRLPBF 1911596.pdf
IRL1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRL1404ZSTRLPBF 1911596.pdf
IRL1404ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
IRL1404ZSTRLPBF
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