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IRL2910SPBF

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Produktcode: 118889
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Hersteller: IR
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 55 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ом
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 6 St.
  • 6 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRL2910SPBF IRL2910SPBF Infineon Technologies irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
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IRL2910SPBF IRL2910SPBF Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRL2910SPBF irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d
IRL2910SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
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IRL2910SPBF irl2910spbf.pdf
IRL2910SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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2N7002-7-F
Produktcode: 186256
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ds11303.pdf
2N7002-7-F
Hersteller: CJ
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,115 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7,5 Ом
Montage: SMD
auf Bestellung: 1677 St.
  • 1677 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.24 EUR
10+0.13 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.094 EUR
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Rechteckimpulsgenerator auf NE555
Produktcode: 174999
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Rechteckimpulsgenerator auf NE555
Modulare Elemente > Blöcke und Module
Beschreibung: Modul Rechteckimpulsgenerator. Die Frequenz der Ausgangsimpulse wird mit einer Steckbrücke eingestellt: 1) 1 Hz - 50 Hz. 2) 50Hz - 1 kHz. 3) 1 kHz - 10 kHz. 4) 10 kHz - 200 kHz. Die Frequenz wird mit Potentiometer R1 eingestellt, das Tastverhältnis mit R2 (50 ... 100%). Versorgung: 5 ... 15VDC. Abmessungen: 31x22mm
Verwendungszweck: Signalgenerator
Produkttyp: Fertigmodul
erwartet: 220 St.
  • 200 St. - erwartet 25.09.2026
  • 20 St. - erwartet
auf Bestellung: 82 St.
  • 82 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.43 EUR
10+1.19 EUR
100+1.02 EUR
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1,5 Ohm 2W Metallfilm NFR2W-1R5 (FRN02WK015JA10) (Sicherungswiderstand)
Produktcode: 128708
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1,5 Ohm 2W Metallfilm NFR2W-1R5 (FRN02WK015JA10) (Sicherungswiderstand)
Hersteller: Royal
Widerstand > Sicherungswiderstand
Toleranz: ±10%
Leistung: 2 W
Max. Spannung: 600 V
Abmessungen: 12x5 mm; D Draht = 0,7 mm
auf Bestellung: 146 St.
  • 146 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.094 EUR
100+0.082 EUR
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1 kOhm 5% 2W bedrahtet (KNP200JB1KR-Hitano)
Produktcode: 117445
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knp series_20160718.pdf
1 kOhm 5% 2W bedrahtet (KNP200JB1KR-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Nennwiderstand: 1 kOhm
Toleranz und TKW: ±5%
P Nenn., W: 2 W
U Betrieb, V: 300 V
Abmessungen: 15x5.0 mm; Ø Anschluss = 0.8 mm
Typ: Keramik
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL2910PBF
Produktcode: 99525
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description irl2910-datasheet.pdf
IRL2910PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 55 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3700/140
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung: 50 St.
  • 50 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.72 EUR
10+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH