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IRL2910STRLPBF

IRL2910STRLPBF Infineon Technologies

irl2910spbf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.65 EUR
1600+1.51 EUR
2400+1.4 EUR
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Technische Details IRL2910STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 200W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm.

Weitere Produktangebote IRL2910STRLPBF nach Preis ab 1.3 EUR bis 8.04 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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1600+1.54 EUR
2400+1.45 EUR
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IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Infineon Technologies irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.89 EUR
1600+1.75 EUR
2400+1.68 EUR
4000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF INFINEON 78700.pdf Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.69 EUR
55+3.2 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Infineon Technologies irl2910spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.7 EUR
54+3.14 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Infineon Technologies irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
auf Bestellung 4005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.55 EUR
10+3.59 EUR
100+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRL2910S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 55A 26mOhm 93.3nC LogLvl
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.61 EUR
100+2.48 EUR
800+1.86 EUR
2400+1.8 EUR
4800+1.76 EUR
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IRL2910STRLPBF IRL2910STRLPBF INFINEON 78700.pdf Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.04 EUR
48+4.91 EUR
100+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
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IRL2910STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
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55+3.2 EUR
100+2.25 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+4.7 EUR
54+3.14 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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IRL2910STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
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MOSFETs MOSFT 100V 55A 26mOhm 93.3nC LogLvl
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10+3.61 EUR
100+2.48 EUR
800+1.86 EUR
2400+1.8 EUR
4800+1.76 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL2910STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 315 Stücke:
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32+8.04 EUR
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