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IRL3803PBF

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Produktcode: 28690
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 140 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/140
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
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Technische Details IRL3803PBF IR

  • MOSFET, N, 30V, 120A, TO-220
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:30V
  • On State Resistance:0.006ohm
  • Power Dissipation:150W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:120A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:150W
  • Pulse Current Idm:480A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies infineonirl3803datasheetv0201en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3803PBF IRL3803PBF Infineon Technologies infineonirl3803datasheetv0201en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL3803PBF irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554 description IRL3803PBF Транзисторы HEXFET
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Hersteller: Infineon Technologies
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Produktcode: 22633
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IR2103S
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Bemerkung: Halbbrücke
Konfiguration: Halbbrücke
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Produktcode: 171680
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NiMH 4200mAh, 1,2V, 4/3A 18x67mm LiPower, Nickel-Metallhydrid- Akku
Hersteller: LiPower
Akkus > NiMH-, NiCd- und NiZn-Batterien
Technologie: NiMH
Baugröße / Abmessungen: 4/3 A
Kapazität, mAh: 4200 мА·год
Form: zylindrisch
Spannung, V: 1,2 В
Gewicht, g: 60 g
Besonderheiten: Größe 18x67mm
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet 17.02.2027
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UF4007
Produktcode: 17804
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description UF4001-4007.pdf
UF4007
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Sperrspannung Vrr, V: 1000 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 75 ns
Bemerkung: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
Montage: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
Warennummer: 8541 10 00 10
verfügbar: 915 St.
  • 915 St. - stock Köln
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330uF 16V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR331M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 14111
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EXR_080421.pdf
330uF 16V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR331M16B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330 µF
Nennspannung: 16 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 250 St.
  • 250 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
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STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 3 St.
  • 3 St. - stock Köln
erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
auf Bestellung: 214 St.
  • 214 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.13 EUR
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