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IRL3803PBF

Name: IRL3803PBF
Brand: IR
SKU: 28690
Price: 1.2 EUR
Availability: InStock

irl3803pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565f80172554

Produktcode: 28690

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.06.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT

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Technische Details IRL3803PBF IR

MOSFET, N, 30V, 120A, TO-220
Transistor Polarity:N
Max Voltage Vds:30V
On State Resistance:0.006ohm
Power Dissipation:150W
Transistor Case Style:TO-220AB
No. of Pins:3
Case Style:TO-220AB
Cont Current Id:120A
Current Temperature:25`C
Full Power Rating Temperature:25`C
Junction to Case Thermal Resistance A:1`C/W
Lead Spacing:2.54mm
Max Voltage Vgs th:2V
Min Voltage Vgs th:1V
No. of Transistors:1
Power Dissipation Pd:150W
Pulse Current Idm:480A
Termination Type:Through Hole
Transistor Type:MOSFET
Typ Voltage Vds:30V
Typ Voltage Vgs th:1V
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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IRL3803PBF

Hersteller : Infineon Technologies

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IRL3803PBF

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IRL3803PBF

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IRL3803PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRL3803_DataSheet_v02_01_EN-3363523.pdf

MOSFET MOSFT 30V 120A 6mOhm 93.3nC LogLvAB

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IRL3803PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

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IRL3803PBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0011996831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRL3803PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm

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IRL3803PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRL3803PBF

IRL3803PBF Транзисторы HEXFET

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IRL3803PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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IRL3803PBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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Габарити: 20x80мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 168 отворів під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння

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100uF 16V ECR 5x11mm (ECR101M16B-Hitano)
Produktcode: 3628

100uF 16V ECR 5x11mm (ECR101M16B-Hitano)

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Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00

verfügbar: 330 Stück

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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT

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100+	1 EUR

R16 10 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Produktcode: 28623

Hersteller: CTR
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Nennwert: 10 kOhm
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Характеристика: Лінійний

verfügbar: 2626 Stück

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