IRL40B209 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 63+ | 2.35 EUR |
| 77+ | 1.83 EUR |
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| 500+ | 1.41 EUR |
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Technische Details IRL40B209 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15140 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRL40B209 nach Preis ab 2.69 EUR bis 3.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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IRL40B209 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 414A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL40B209 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 414A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL40B209 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V, 195A, 1.25 mOhm 180 nC Qg, Logic Lv |
auf Bestellung 3032 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL40B209 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL40B209 - IRL40B209 - TRENCH < 40V tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL40B209 Produktcode: 168507
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRL40B209 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 414A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRL40B209 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15140 pF @ 25 V |
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